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Die dritte Generation der Power MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler eine ideale Kombination aus hoher Schaltgeschwindigkeit, robustem Design, niedrigem R_DS(on) und wirtschaftlicher Effizienz.
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Das Gehäuse TO-247 wird in kommerziellen und industriellen Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungsniveaus den Einsatz von TO-220-Gehäusen nicht zulassen.
Das TO-247 ist ähnlich, übertrifft jedoch das ältere TO-218, da es eine elektrisch isolierte Befestigungsbohrung besitzt. Außerdem bietet es größere Isolationsabstände (creepage distances) zwischen den Anschlüssen, um die Anforderungen der meisten Sicherheitsstandards zu erfüllen.
