IRFZ34NPBF Transistor

Der IRFZ34N ist ein fortschrittlicher N-Kanal Power MOSFET der HEXFET-Technologie, konzipiert für außergewöhnlich niedrigen spezifischen Siliziumwiderstand. Er ist ideal für Anwendungen, bei denen hohe Schaltgeschwindigkeiten und Zuverlässigkeit erforderlich sind, während seine kompakte Größe ihn für beengte Räume geeignet macht.

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Κέρκυρα, Κέρκυρας

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Beschreibung

Der IRFZ34N ist ein fortschrittlicher N-Kanal Power MOSFET der HEXFET®-Technologie, konzipiert für außergewöhnlich niedrigen spezifischen Siliziumwiderstand. Er ist ideal für Anwendungen, bei denen hohe Schaltgeschwindigkeiten und Zuverlässigkeit erforderlich sind, während seine kompakte Größe ihn für beengte Räume geeignet macht.

Technische Daten (Specs):

Typ: N-Kanal MOSFET
Collector-Source-Spannung: 55V
Strombelastbarkeit (Betrieb): 29A
Durchgangswiderstand: 0,040Ω (40mΩ)
Betriebstemperatur: Bis zu 175°C
Gehäuse: TO-220

Hauptanwendungen:

DC-DC-Wandler-Systeme: Spannungsumwandlung mit hoher Effizienz
Batteriemanagement: Ideal für Ladeschaltungen und Batterieschutzkreise
Motorgeschwindigkeitssteuerung (PWM): Sehr beliebte Wahl für Drohnen, ferngesteuerte Fahrzeuge und kleine elektrische Fahrzeuge
Audio-Verstärker: Wird in Stromversorgungsschaltungen von Autoverstärkern verwendet
LED-Beleuchtung: Steuerung leistungsstarker LED-Streifen mit Präzision