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N-Kanal-Mosfet Fds6690a 6690 Mosfet
Transistoren

N-Kanal-Mosfet Fds6690a 6690 Mosfet

Der FDS6690AS ist dafür ausgelegt, einen einzelnen SO-8 MOSFET und eine Schottky-Diode in synchronisierten DC:DC-Stromversorgungen zu ersetzen. Dieser 30V MOSFET ist darauf ausgelegt, die...

Der FDS6690AS ist dafür ausgelegt, einen einzelnen SO-8 MOSFET und eine Schottky-Diode in synchronisierten DC:DC-Stromversorgungen zu ersetzen. Dieser 30V MOSFET ist darauf ausgelegt, die Energieumwandlungseffizienz zu optimieren, indem er einen niedrigen RDS(ON) und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Der FDS6690AS enthält eine integrierte Schottky-Diode...

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Der FDS6690AS ist dafür ausgelegt, einen einzelnen SO-8 MOSFET und eine Schottky-Diode in synchronisierten DC:DC-Stromversorgungen zu ersetzen. Dieser 30V MOSFET ist darauf ausgelegt, die Energieumwandlungseffizienz zu optimieren, indem er einen niedrigen RDS(ON) und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Der FDS6690AS enthält eine integrierte Schottky-Diode unter Verwendung von Fairchilds monolithischer SyncFET-Technologie. Die Leistung des FDS6690AS als Low-Side-Schalter in asynchroner Gleichrichtung ist nahe der Leistung des FDS6690A in paralleler Verbindung mit einer Schottky-Diode.

  • DC/DC-Wandler
  • Low-Side-Notizen

Merkmale:

  • 10 A, 30 V. RDS(ON) max = 12 mΩ @ V GS = 10 V
  • RDS(ON) max = 15 mΩ @ V GS = 4,5 V
  • Inklusive Schottky SyncFET-Diode
  • Niedrige Gate-Ladung (typisch 16nC)
  • Hohe Graben-Technologie-Leistung für ultra-niedrigen RDS(ON)
  • Hohe Leistungs- und Stromhandhabungsfähigkeit

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Der FDS6690AS ist dafür ausgelegt, einen einzelnen SO-8 MOSFET und eine Schottky-Diode in synchronisierten DC:DC-Stromversorgungen zu ersetzen. Dieser 30V MOSFET ist darauf ausgelegt, die Energieumwandlungseffizienz zu optimieren, indem er einen niedrigen RDS(ON) und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Der FDS6690AS enthält eine integrierte Schottky-Diode unter Verwendung von Fairchilds monolithischer SyncFET-Technologie. Die Leistung des FDS6690AS als Low-Side-Schalter in asynchroner Gleichrichtung ist nahe der Leistung des FDS6690A in paralleler Verbindung mit einer Schottky-Diode.

  • DC/DC-Wandler
  • Low-Side-Notizen

Merkmale:

  • 10 A, 30 V. RDS(ON) max = 12 mΩ @ V GS = 10 V
  • RDS(ON) max = 15 mΩ @ V GS = 4,5 V
  • Inklusive Schottky SyncFET-Diode
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