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Zuverlässiger, leistungsstarker Power MOSFET, speziell entwickelt für Sustain-, Energie-Rückgewinnungs- und Pass-Schalter-Anwendungen in Plasma-Bildschirmen!
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Dieses fortschrittliche HEXFET® Power MOSFET nutzt modernste Fertigungstechnologien, um eine außergewöhnlich niedrige RDS(on) – Leitungswiderstand pro Siliziumfläche – und einen niedrigen E-PULSE-Wert zu erreichen. Speziell für die anspruchsvollen Bedingungen beim Betrieb in Plasma-Display-Panels (PDP) entwickelt, bietet es eine erstklassige Schaltgeschwindigkeit, hohe Spitzenstromfestigkeit und die Fähigkeit, bei hohen Temperaturen bis zu 175°C zu arbeiten.